深圳真茂佳半导体有限公司任玉娇获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳真茂佳半导体有限公司申请的专利沟槽型碳化硅MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037729U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520745118.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型沟槽型碳化硅MOSFET器件是由任玉娇;任炜强;余良设计研发完成，并于2025-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，提出一种沟槽型碳化硅MOSFET器件。该器件包括衬底、外延层及多晶硅栅极。外延层包括底屏结及侧屏结。侧屏结的底部与所述底屏结交错相接，形成网格交错。外延层开设有沟槽，沟槽的侧壁与底部连接处形成圆弧状,沟槽的底部凹陷于底屏结，并且沟槽位于侧屏结之间。本申请通过底屏结和侧屏结形成的三维网格屏蔽体系，能够对沟槽底部及侧壁下方的多晶硅栅极区域形成包围式屏蔽，最大限度地分散和降低多晶硅栅极氧化层在高压下承受的峰值电场强度，显著提升器件的耐压能力和栅氧可靠性。
本实用新型沟槽型碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： 具有外延层20的衬底10，所述外延层20包括相互交错相接的底屏结22及侧屏结23，所述底屏结22下沉于所述外延层20的上表面，所述底屏结22由所述外延层20开始下沉的下沉深度大于沟槽27的深度；所述侧屏结23连续式形成在所述外延层20中，所述侧屏结23延伸至所述外延层20的上表面，所述侧屏结23的底部与所述底屏结22交错相接，形成网格交错；所述外延层20开设有沟槽27，所述沟槽27的侧壁与底部连接处形成圆弧状，所述沟槽27的底部凹陷于所述底屏结22，所述沟槽27位于所述侧屏结23之间； 多晶硅栅极30，设置于所述沟槽27内。
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