上海嘉澜半导体有限公司刘琴获国家专利权
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龙图腾网获悉上海嘉澜半导体有限公司申请的专利一种瞬态电压抑制保护器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037728U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520723791.4，技术领域涉及：H10D10/40；该实用新型一种瞬态电压抑制保护器件是由刘琴设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种瞬态电压抑制保护器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及了一种瞬态电压抑制保护器件，包括：第一金属电极，第一金属电极的顶部涂覆有衬底；外延层，位于衬底上，外延层上设置有绝缘层，绝缘层上设置有第二金属电极，第二金属电极的部分区域设置有与绝缘层连接的钝化层；第一掺杂区域，第一掺杂区域设置在外延层的顶部中心区域；和第二掺杂区域，第二掺杂区域设置有两个，且两个第二掺杂区域对称设置在第一掺杂区域的左右两侧，且两个第二掺杂区域均不与第二掺杂区域连接，第二掺杂区域通过半导体区域穿过外延层与衬底层连接，第二金属电极的左右两侧均延伸至第二掺杂区域上方的绝缘层上，且绝缘层的中心位置设置有避让区域，避让区域用于使第二金属电极与第一掺杂区域直接连接。
本实用新型一种瞬态电压抑制保护器件在权利要求书中公布了：1.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括： 第一金属电极1，所述第一金属电极1的顶部涂覆有衬底2； 外延层3，位于所述衬底2上，所述外延层3上设置有绝缘层4，所述绝缘层4上设置有第二金属电极5，所述第二金属电极5的部分区域设置有与绝缘层4连接的钝化层6； 第一掺杂区域7，所述第一掺杂区域7设置在外延层3的顶部中心区域； 和第二掺杂区域8，所述第二掺杂区域8设置有两个，且两个第二掺杂区域8对称设置在第一掺杂区域7的左右两侧，且两个第二掺杂区域8均不与第一掺杂区域7连接，所述第二掺杂区域8通过半导体区域穿过外延层3与衬底2层连接，所述第二金属电极5的左右两侧均延伸至第二掺杂区域8上方的绝缘层4上，且所述绝缘层4的中心位置设置有避让区域，所述避让区域用于使第二金属电极5与第一掺杂区域7直接连接。
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