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龙图腾网获悉无锡惠芯半导体有限公司申请的专利一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121389534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511952540.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统是由丁浩宸;杨超;陈志阳设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统，涉及MOSFET寿命预测技术领域，方法包括：通过传感器采集待预测场效应管的瞬时电压和瞬时电流；根据瞬时电压和瞬时电流，计算瞬时功率；基于瞬时功率，通过晶格玻尔兹曼法，计算内部瞬态温度分布；根据内部瞬态温度分布，计算缺陷生成率；结合缺陷生成率和非齐次泊松过程，确定待预测场效应管的空间缺陷分布；提取空间缺陷分布的分形结构特征，并计算待预测场效应管的分形维数；根据分形维数和临界缺陷密度，判断待预测场效应管是否形成从顶部到底部的导电路径；若是，判定待预测场效应管发生氧化层击穿；否则，继续监测；输出待预测场效应管的综合可靠性预测结果。

本发明授权一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法，其特征在于，包括： S1：通过传感器采集待预测场效应管的瞬时电压和瞬时电流； S2：根据所述瞬时电压和所述瞬时电流，计算瞬时功率； S3：基于所述瞬时功率，通过晶格玻尔兹曼法，计算所述待预测场效应管的内部瞬态温度分布； S4：根据所述内部瞬态温度分布，通过阿伦尼乌斯模型，计算所述待预测场效应管的缺陷生成率； S5：结合所述缺陷生成率和非齐次泊松过程，确定所述待预测场效应管的空间缺陷分布，其中，所述空间缺陷分布包括缺陷位置和缺陷数量； S6：提取所述空间缺陷分布的分形结构特征，并根据所述分形结构特征计算所述待预测场效应管的分形维数； S7：根据所述分形维数和预设的临界缺陷密度，通过球体基渗流模型，判断所述待预测场效应管是否形成从顶部到底部的导电路径；若是，确定所述待预测场效应管发生氧化层击穿，并进入步骤S8；否则，将所述空间缺陷分布作为历史数据，并返回步骤S1继续监测； S8：输出所述待预测场效应管的综合可靠性预测结果。

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