上海应用技术大学蔺华林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种NiOOH/Ti-P-O纳米管阵列光阳极及制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116426967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310306551.X，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种NiOOH/Ti-P-O纳米管阵列光阳极及制备方法与应用是由蔺华林;潘艳婕;董振标;崔璐璐;钱文超;陈佳豪设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NiOOH/Ti-P-O纳米管阵列光阳极及制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种NiOOHTi‑P‑O纳米管阵列光阳极及制备方法与应用，其制备方法包括如下步骤：S1、将预处理后的Ti片依次进行阳极氧化处理、晶化处理，得到Ti‑O纳米管阵列光阳极；S2、将Ti‑O纳米管阵列光阳极进行磷化处理，冷却后得到Ti‑P‑O纳米管阵列光阳极；S3、将Ti‑P‑O纳米管阵列光阳极浸入在含有镍源、尿素的混合溶液中进行热沉积，得到NiOOHTi‑P‑O纳米管阵列光阳极。NiOOHTi‑P‑O纳米管阵列光阳极可广泛应用于光电催化水分解领域。与现有技术相比，本发明提供了一种耗时短且可控的制备方法，制备得到的产物显著增强了其光电化学活性，提升了光电催化效率。
本发明授权一种NiOOH/Ti-P-O纳米管阵列光阳极及制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种NiOOHTi-P-O纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将预处理后的Ti片依次进行阳极氧化处理、晶化处理，得到Ti-O纳米管阵列光阳极； S2、将S1步骤得到的Ti-O纳米管阵列光阳极进行磷化处理，冷却后得到Ti-P-O纳米管阵列光阳极； 磷化处理的工艺为：将Ti-O纳米管阵列光阳极与磷源NaHPO·HO进行加热反应，其中磷源NaHPO·HO的质量为1-3g，磷源区的温度为525～575℃，Ti-O纳米管阵列光阳极放置区的温度为350～450℃，加热时间为3-5h； S3、将S2步骤得到的Ti-P-O纳米管阵列光阳极浸入在含有镍源、尿素的混合溶液中进行热沉积，即得到NiOOHTi-P-O纳米管阵列光阳极； 热沉积的工艺为：将Ti-P-O纳米管阵列光阳极放入温度为80-95℃的混合溶液中浸泡1-3h，然后用去离子水洗涤，并在60℃下真空干燥6h。
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