株式会社力森诺科铃木淳获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社力森诺科申请的专利蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180070335.9，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法是由铃木淳设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4HxFy表示且通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下、x+y为8的氟丁烯。而且，蚀刻气体含有氟化氢作为杂质，氟化氢的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件12接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物含有硅。
本发明授权蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件接触，与所述非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻所述蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是所述蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是所述蚀刻气体的蚀刻对象，所述蚀刻对象物含有硅， 所述蚀刻气体是仅由用通式C4HxFy表示且所述通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下、x+y为8的氟丁烯构成的气体、或者是由所述氟丁烯和稀释气体构成的混合气体、或者是由所述氟丁烯、稀释气体和添加气体构成的混合气体，所述稀释气体是选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的至少一种，所述添加气体是碳氟化合物的气体、和或氢氟烃的气体， 所述蚀刻气体含有氟化氢作为杂质，氟化氢的浓度为100质量ppm以下， 所述蚀刻气体是通过具备脱水工序和脱氧气工序的制造方法得到的， 在所述脱水工序中，对含有水和氧气的所述氟丁烯即粗氟丁烯实施脱水处理， 在所述脱氧气工序中，对所述粗氟丁烯实施脱氧气处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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