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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211137887.X，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权半导体元件是由胡子杰;连伟杰;欧震;刘家铭;纪慈祎设计研发完成，并于2018-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体区域；以及位于第一半导体区域上的一第一电极，其中第一半导体区域包含一第一层以及一第二层，第二层包含一第一部位和与第一部位相邻的一第二部位，第一部位具有一第一厚度，第二部位具有一第二厚度，第二厚度小于第一厚度，第一层包含一第一材料和一第一掺杂物，第一材料包含多种元素，第一掺杂物具有一第一浓度，第二层包含一第二材料和一第二掺杂物，第二材料包含多种元素，第二掺杂物具有一第二浓度，第一层的第一材料的多种元素之一与第二层的第二材料的多种元素不同。

本发明授权半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 第一半导体区域； 位于该第一半导体区域上的第二半导体区域； 位于该第一半导体区域和该第二半导体区域之间的活性区域； 位于该第一半导体区域上的第一电极； 其中该第一半导体区域包含第一层以及位于该第一层和该活性区域之间的第二层，该第一层包含第一掺杂物，该第一掺杂物具有第一浓度，该第二层包含第二掺杂物，该第二掺杂物具有第二浓度，其中该第二层的该第二掺杂物的该第二浓度介于5×1018cm3和5×1019cm3之间且包含端值；以及 位于该第二层和该活性区域之间的间隔层，该间隔层包含具有第三浓度的第三掺杂物，其中该间隔层的该第三掺杂物的该第三浓度小于该第二层的该第二掺杂物的该第二浓度，该第二层的该第二掺杂物的该第二浓度与该间隔层的该第三掺杂物的该第三浓度的比值大于该第一层的该第一掺杂物的该第一浓度与该第二层的该第二掺杂物的该第二浓度的比值，且该第二层的该第二掺杂物的该第二浓度与该间隔层的该第三掺杂物的该第三浓度的比值不小于10， 其中该第二层包含第一部位以及第二部位，该第一部位在堆叠方向上与该活性区域重叠，该第二部位与该第一部位相邻，该第一电极位于该第二层的第二部位上。

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