台湾积体电路制造股份有限公司赵子昂获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115437207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210492979.3，技术领域涉及：G03F1/24；该发明授权用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法是由赵子昂;郑兆钦;汪涵;李明洋;皮特纳·麦可·格列高里设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法在说明书摘要公布了：用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。
本发明授权用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于极紫外反射掩模的薄膜，包括： 第一层； 第二层；以及 主膜，设置在所述第一层和所述第二层之间，其中： 所述主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕所述内管的一个或多个外管，以及 所述内管和所述一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成， 其中，所述主膜包括多个多壁纳米管以及由堆叠有一个或多个二维层的二维材料制成的多个二维材料薄片，所述二维材料薄片包括氮化硼和或过渡金属二硫属化物，其中，所述过渡金属二硫属化物由MX2表示，其中M是Pd和或Pt，并且X是S、Se或Te中的一种或多种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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