超威半导体公司阿尼尔班·纳格获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利使用复合存储器命令的存储器操作获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115427938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180028724.5，技术领域涉及：G06F13/16；该发明授权使用复合存储器命令的存储器操作是由阿尼尔班·纳格;努万·贾亚塞纳;沙泽恩·阿加设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用复合存储器命令的存储器操作在说明书摘要公布了：本发明公开了使用复合存储器命令的存储器操作，该存储器操作包括：由存储器模块接收指示要应用于该存储器模块中的连续内存的多个部分中的每个部分的一个或多个操作的复合存储器命令；基于该复合存储器命令生成多个存储器命令以将该一个或多个操作应用于连续内存的该多个部分中的每个部分；以及执行该多个存储器命令。
本发明授权使用复合存储器命令的存储器操作在权利要求书中公布了：1.一种用于使用复合存储器命令的存储器操作的装置，所述装置包括： 处理器； 通信地耦接到所述处理器的存储器控制器；以及 通信地耦接到所述存储器控制器的存储器模块，所述存储器模块被配置为： 接收指示要应用于所述存储器模块中的连续内存的多个部分中的每个部分的一个或多个操作的复合存储器命令； 基于所述复合存储器命令生成多个存储器命令以将所述一个或多个操作应用于连续内存的所述多个部分中的每个部分；以及 执行所述多个存储器命令。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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