武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211059125.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件是由李治福;刘广辉;艾飞;罗成志设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件。通过使第一有源层位于衬底上，第一绝缘层覆盖第一有源层，且第一绝缘层上设有第一过孔，第二有源层位于第一绝缘层上，第三有源层位于第一过孔内，且第三有源层连接第一有源层和第二有源层，从而使得半导体器件的沟道长度可根据第一绝缘层的厚度而确定，半导体器件的沟道宽度可根据第一过孔的周长而确定，有利于实现极小沟道长度的半导体器件的制备，从而也有利于提高半导体器件的迁移率。此外，由于第三有源层位于所述第一过孔内并连接第一有源层和第二有源层，因而相较于第一有源层、第二有源层和第三有源层均位于同一平面内的设计方式，本发明可降低半导体器件的占用面积，且可避免曝光精度和蚀刻精度的限制。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一有源层，位于所述衬底上； 第一绝缘层，覆盖所述第一有源层；以及 第二有源层，位于所述第一绝缘层上； 第一导电层，位于所述第一绝缘层内，包括栅极，所述栅极设有第一开口； 其中，所述第一绝缘层设有第一过孔，第三有源层位于所述第一过孔内，且连接所述第一有源层和所述第二有源层，所述第三有源层作为所述半导体器件的沟道；在俯视视角下，所述第一过孔位于所述第一开口内；所述第三有源层包括： 主体部，位于所述第一过孔内；以及 延伸部，连接于所述主体部并位于所述第二有源层和所述第一绝缘层之间； 其中，在俯视视角下，所述主体部的边界在所述延伸部上的正投影位于所述延伸部的边界内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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