买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于斜率检测的膝点检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115173863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210733096.7，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种基于斜率检测的膝点检测电路是由周泽坤;艾雪;林镇熙;王卓;张波设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于斜率检测的膝点检测电路在说明书摘要公布了：本发明属于电源管理技术领域，具体来说是涉及一种基于斜率检测的膝点检测电路。本发明的电路对反馈参考电压进行微分运算产生微分电流，再将微分运算结果输入比较器中，当达到膝点时，反馈参考电压会迅速下掉，经过微分运算的微分电压迅速增大，而后触发比较器翻转从而检测到膝点。本发明能够精确检测出反馈参考电压的膝点位置，为后续的反馈参考电压的膝点电压采样提供控制信号。

本发明授权一种基于斜率检测的膝点检测电路在权利要求书中公布了：1.一种基于斜率检测的膝点检测电路，用于原边反馈反激式变换器膝点检测，定义原边反馈反激式变换器的反馈参考电压为VRREF，其特征在于，所述检测电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容、第一电阻、电压源、第一比较器、第二比较器和逻辑电路； 第一NMOS管的漏极接VRREF，其栅极接前沿消隐信号的反向信号，其源极接第二NMOS管的漏极和第一电容的一端； 第二NMOS管的栅极接前沿消隐信号，其源极接第一电容的另一端、第一比较器的反相输入端、第一电阻的一端、电压源的负极； 第三NMOS管的漏极接VRREF，其栅极接前沿消隐信号的反向信号，其源极接第二电容的一端和第一比较器的同相输入端；第二电容的另一端接地； 第一比较器的输出端接第一电阻的另一端和第二比较器的同相输入端，第二比较器的反相输入端接电压源的正极； 第二比较器的输出端接逻辑电路的输入端和第四NMOS管的漏极；第四NMOS管的栅极接前沿消隐信号，其源极接地； 所述逻辑电路为单次波提取逻辑电路，逻辑电路输出检测到的膝点电压信号； 所述第二比较器为快速比较器，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、电流源、第二电阻、第三电阻、第一反相器、第二反相器； 第一PMOS管的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接电流源的输入端；电流源的输出端接地； 第二PMOS管的源极接电源，其栅极接第一PMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极接第四PMOS管的源极和第五PMOS管的源极； 第三PMOS管的源极接电源，其栅极接第一PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极接第七PMOS管的源极和第八PMOS管的源极； 第四PMOS管的栅极为第二比较器的同相输入端，其漏极通过第二电阻后接地；第五PMOS管的栅极为第二比较器的反相输入端，其漏极通过第三电阻后接地； 第六PMOS管的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第五NMOS管的漏极；第五NMOS管的栅极接第七PMOS管的漏极，第五NMOS管的源极接地； 第七PMOS管的栅极接第四PMOS管的漏极，第七PMOS管的漏极接第六NMOS管的栅极和漏极，第六NMOS管的源极接地； 第八PMOS管的栅极接第五PMOS管的漏极，第八PMOS管的漏极接第七NMOS管的栅极和漏极、第八NMOS管的栅极；第七NMOS管的源极接地； 第九PMOS管的源极接电源，其栅极接第六PMOS管的漏极，第九PMOS管的漏极接第八NMOS管的漏极和第一反相器的输入端；第八NMOS管的源极接地‘ 第二反相器的输入端接第一反相器的输出端，第二反相器的输出端为第二比较器的输出端； 所述电压源设置为高于Vdiff和Vref的差值，其中Vdiff是VRREF经过微分运算后的电压： ， 其中，Vref是Cref采样到第n个周期的VRREF的平台电压值，Rdiff与Cdiff分别为微分电阻与微分电容，K为反馈系数，VOUT为输出电压，是VRREF的谐振频率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。