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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种紫外LED外延片、外延生长方法及紫外LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210163303.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种紫外LED外延片、外延生长方法及紫外LED芯片是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外LED外延片、外延生长方法及紫外LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种紫外LED外延片、外延生长方法及紫外LED芯片，外延生长方法包括在生长多量子阱层时，先生长阱层，当所述阱层生长结束后，控制TMIn通入，与NH3反应生成InN，所述InN经高温分解成In量子点，当所述In量子点分布在所述阱层后，生长垒层，其中，所述阱层为GaN层，所述垒层为AlGaN层，所述GaN层、所述In量子点和所述AlGaN层依次周期性的生长，由于在多量子阱层中含有In发光量子点，同时，In发光量子点没有实际厚度，从而在不影响紫外LED的发光波长的情况下，提高了紫外LED的发光效率。

本发明授权一种紫外LED外延片、外延生长方法及紫外LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法包括： 在生长多量子阱层时，先生长阱层，当所述阱层生长结束后，控制TMIn通入，与NH3反应生成InN，所述InN经高温分解成In量子点，当所述In量子点分布在所述阱层后，生长垒层，其中，所述阱层为GaN层，所述垒层为AlGaN层，所述GaN层、所述In量子点和所述AlGaN层依次周期性的生长； 所述外延生长方法还包括： 提供一生长所需的蓝宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底上依次外延生长AlN缓冲层，未掺杂的AlGaN层，N型掺杂AlGaN层，所述多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层及接触层； 所述GaN层的生长温度为900℃～1000℃，生长压力为50torr～200torr，当单个周期内所述GaN层生长结束后，通入所述TMIn的流量为100sccm～800sccm，单个周期内所述TMIn的通入时间为10s～60s，所述In量子的生成温度为1000℃～1100℃，压力为50torr～100torr，所述AlGaN层的生长温度为1000℃～1100℃，生长压力为50torr～100torr，其中，Al组分为0.1～0.5。

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