上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司刘洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210716509.0，技术领域涉及：H10W10/50；该发明授权半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法是由刘洋;杨渝书;耿金鹏设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有第一区及第二区，第一区上设有第一鳍片，第二区上设有第二鳍片，第一鳍片与第二鳍片的导电类型相反；依次形成硬掩模材料层及侧墙材料层，使相邻的第一鳍片与第二鳍片之间的侧墙材料层合并形成边界侧墙；利用硬掩模材料层，并以边界侧墙作为第一区及第二区的间隔层，在第一区形成第一外延结构，在第二区形成第二外延结构。本发明中，利用侧墙材料层在第一鳍片与第二鳍片之间合并形成边界侧墙，并作为后续第一外延结构及第二外延结构的间隔层，从而防止第一外延结构与第二外延结构的短接问题。
本发明授权半导体结构的形成方法及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上具有第一区及第二区，所述第一区上设有若干第一鳍片，所述第二区上设有若干第二鳍片，所述第一鳍片与所述第二鳍片的导电类型相反，且相邻的所述第一鳍片之间的间距及相邻的所述第二鳍片之间的间距均大于相邻的所述第一鳍片与所述第二鳍片的间距； 依次形成硬掩模材料层及侧墙材料层，所述硬掩模材料层顺形地覆盖所述衬底的表面、所述第一鳍片的外壁及所述第二鳍片的外壁，所述侧墙材料层覆盖所述硬掩模材料层，并使相邻的所述第一鳍片与所述第二鳍片之间的侧墙材料层合并形成边界侧墙； 以所述边界侧墙作为所述第一区及所述第二区的间隔层，在所述第一区形成第一外延结构，在所述第二区形成第二外延结构，使所述边界侧墙隔离相邻的所述第一外延结构及所述第二外延结构。
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