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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210665711.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET是由赵琳娜;顾晓峰;谈威;鹿存莉设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成反向续流二极管的平面SiCMOSFET，属于半导体技术领域。该器件栅极为分离栅结构，通过源极多晶硅将栅极多晶硅分成左右两部分，并在底部添加额外的P‑shield区域，源极多晶硅通过贯穿续流管氧化物与P‑shield区相连；该结构使得集成在平面结构氧化物底部的沟道二极管可在器件中代替体二极管作为续流二极管，减小了传统SiCMOSFET中因为电子与空穴的复合导致的双极退化效应，且续流二极管的开启压降小于体二极管，降低电路系统功耗；本申请的分离栅结构取代了传统的整块栅极结构，减少了栅极与漏极之间电容正对面积，改善了器件电容特性和米勒效应，降低了器件的开关损耗以及开关时间。

本发明授权一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种集成反向续流二极管的平面SiCMOSFET器件，其特征在于，所述平面SiCMOSFET器件的栅极为分离栅结构，通过连接到源极的多晶硅将连接到栅极的多晶硅分成左右两部分，并在连接到源极的多晶硅的下方续流管氧化物的底部添加额外的P-shield区域，且连接到源极的多晶硅通过贯穿续流管氧化物与P-shield区相连；连接到源极的多晶硅下方的续流管氧化物的厚度小于连接到栅极的多晶硅下方的沟道氧化物的厚度； 所述平面SiCMOSFET的元胞结构包括由下至上依次层叠设置的漏极金属1、第一导电类型衬底层2、第一导电类型外延层3、JFET区4和源极金属13； 所述JFET区4上方左右对称设有P-base区11、P-plus区10、N-plus区9，所述JFET区4上方中间设有P-shield区5；其中，左侧P-plus区10位于左侧P-base区11的左上方；左侧N-plus区9位于左侧P-base区11上方，且左侧N-plus区9的右侧和下方被左侧P-base区11包裹，左侧N-plus区9的左侧与左侧P-plus区10贴合；右侧P-base区11、右侧P-plus区10以及右侧N-plus区9与左侧对称设置； 所述P-shield区5位于JFET区4的顶部中间； 左侧沟道氧化物8位于左侧N-plus区9、左侧P-base区11、JFET区4上方；右侧沟道氧化物8与左侧沟道氧化物8对称设置； 左侧栅极多晶硅7位于左侧沟道氧化物8上方；右侧栅极多晶硅7位于右侧沟道氧化物8上方； 左右续流管氧化物12位于P-shield区5上方； 源极多晶硅6位于P-shield区5、续流管氧化物12上方，底部贯穿续流管氧化物12与P-shield区5相连，顶部贯穿阻断氧化物14与源极金属13相连； 所述阻断氧化物14被源极多晶硅6顶部贯穿后分为左右两部分，左侧阻断氧化物14位于左侧栅极多晶硅7的上方、左方和右方；右侧阻断氧化物位于右侧栅极多晶硅7的上方、左方和右方； 所述源极金属13位于P-plus区10、N-plus区9、阻断氧化物14、源极多晶硅6上方。

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