美光科技公司宁涉洋获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器子系统中的存储器装置的全电平编程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210305384.2，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器子系统中的存储器装置的全电平编程是由宁涉洋;L·C·米兰达设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器子系统中的存储器装置的全电平编程在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器子系统中的存储器装置的全电平编程。存储器装置中的控制逻辑识别配置为在编程操作期间编程的多电平单元MLC存储器的多个存储器单元中的一组且在所述编程操作的第一时段期间将斜变字线电压施加到与存储器阵列相关联的一组字线。所述控制逻辑在所述第一时段期间致使与所述一组存储器单元相关联的一组柱与电源电压及接地电压断开，其中每一柱对应于一组编程电平中的编程电平。所述控制逻辑进一步在所述编程操作的第二时段期间致使一组编程脉冲施加到所述一组存储器单元，其中所述一组编程脉冲中的每一编程脉冲对与所述识别组存储器单元相关联的所述一组编程电平中的每一编程电平进行编程。
本发明授权存储器子系统中的存储器装置的全电平编程在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器阵列，其包括配置为多电平单元MLC存储器的多个存储器单元；及 控制逻辑，其可操作地与所述存储器阵列耦合以执行包括以下的操作： 识别在编程操作期间编程的所述多个存储器单元中的一组； 在所述编程操作的第一时段期间，致使斜变字线电压施加到与所述存储器阵列相关联的一组字线； 在所述第一时段期间，致使与所述一组存储器单元相关联的一组柱与电源电压及接地电压断开，其中每一柱对应于一组编程电平中的相应编程电平；及 在所述编程操作的第二时段期间，致使编程脉冲施加到所述一组存储器单元，其中所述编程脉冲对与所述识别组存储器单元相关联的所述一组编程电平中的每一编程电平进行编程。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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