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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210001669.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供能够提高耐压的半导体装置。该半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域和第3半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、构造体、栅极电极及高电阻部。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上。第3半导体区域设置于第2半导体区域之上。构造体的绝缘部与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域并排。构造体的导电部设置于绝缘部中，具有与第1半导体区域对置的部分。栅极电极与第2半导体区域对置。高电阻部的电阻比第1半导体区域高。构造体沿第2、第3方向设置多个。多个构造体具有第1～第3构造体。高电阻部在第1方向上与假想圆的圆心重叠，该假想圆穿过第1、第2及第3构造体各自的第2方向及第3方向上的中心。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 第1导电型的第1半导体区域； 第2导电型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域之上； 第1导电型的第3半导体区域，选择性地设置于所述第2半导体区域之上； 构造体，具有绝缘部和导电部，该绝缘部在与从所述第1半导体区域朝向所述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上和与所述第1方向垂直且与所述第2方向交叉的第3方向上，与所述第1半导体区域的一部分、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域并排，该导电部设置于所述绝缘部中，具有在所述第2方向及所述第3方向上与所述第1半导体区域对置的部分； 栅极电极，在所述第2方向及所述第3方向上与所述第2半导体区域对置；以及 高电阻部，设置于所述第1半导体区域中，电阻高于所述第1半导体区域， 所述构造体沿所述第2方向及所述第3方向设置多个， 多个所述构造体具有第1构造体、在所述第2方向上与所述第1构造体相邻的第2构造体和在所述第3方向上与所述第1构造体相邻的第3构造体， 所述高电阻部在所述第1方向上与假想圆的圆心重叠，该假想圆穿过所述第1构造体、所述第2构造体及所述第3构造体各自的所述第2方向及所述第3方向上的中心， 将所述第1构造体、所述第2构造体及所述第3构造体各自的中心连结而形成的形状在沿所述第1方向观察时是正三角形， 沿所述第2方向及所述第3方向的平面中的所述高电阻部的剖面形状是以所述圆心为中心的正三角形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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