北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司何百哲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司申请的专利冷源晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210493952.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权冷源晶体管器件及其制备方法是由何百哲;司佳;张志勇;彭练矛设计研发完成，并于2022-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本冷源晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种冷源晶体管器件，包括：基底层；冷源层，冷源层设置于基底层；条带层，条带层与冷源层连接，并通过相同材料制备；栅介质层，栅介质层的部分形成于冷源层的部分，栅介质层的部分覆盖条带层的部分；栅电极，栅电极设置于栅介质层；其中，冷源层和条带层连接的界面形成为同质结，栅介质层覆盖同质结。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
本发明授权冷源晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种冷源晶体管器件，其特征在于，包括： 基底层， 冷源层，所述冷源层设置于所述基底层； 条带层，所述条带层与所述冷源层连接，并通过相同材料制备； 栅介质层，所述栅介质层的部分形成于所述冷源层的部分，所述栅介质层的部分覆盖所述条带层的部分； 栅电极，所述栅电极设置于所述栅介质层； 其中，所述冷源层和条带层连接的界面形成为同质结，所述栅介质层覆盖所述同质结； 其中，所述冷源层和条带层的连线方向为所述冷源层和条带层的长度方向； 其中，制备所述冷源层和条带层的材料选择为N型掺杂的二维冷源材料或者P型掺杂的二维冷源材料，所述二维冷源材料包括：石墨烯、Cd3C2、T-VTe2、H-VTe2和H-TaTe2。
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