格芯(美国)集成电路科技有限公司M·苗获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114843260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111668574.2,技术领域涉及:H10D89/60;该发明授权静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法是由M·苗;A·F·卢瓦索;S·米特拉;R·J·小高蒂埃;李由;梁巍设计研发完成,并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法。可以提供一种ESD保护器件,包括:衬底,其包括布置在其中的第一导电区和第二导电区。第一导电区可以包括彼此电耦接的第一端子区和第二端子区。第二导电区可以包括彼此电耦接的第三端子区和第四端子区。第二导电区还可以包括与第一端子区和第二端子区电耦接的第五端子区。第五端子区可以在横向方向上布置在第三端子区和第四端子区之间。第一导电区、第一端子区、第三端子区和第五端子区可以具有第一导电类型。第二导电区、第二端子区和第四端子区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型。
本发明授权静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种静电放电ESD保护器件,包括: 衬底,其包括布置在其中的第一导电区和第二导电区; 其中所述第一导电区包括彼此电耦接且与第一导电衬垫电耦接的第一端子区和第二端子区; 其中所述第二导电区包括彼此电耦接且与第二导电衬垫电耦接的第三端子区和第四端子区; 其中所述第二导电区还包括在横向方向上布置在所述第三端子区和所述第四端子区之间并与所述第一端子区、所述第二端子区和所述第一导电衬垫电耦接的第五端子区; 其中所述第一导电区、所述第一端子区、所述第三端子区和所述第五端子区具有第一导电类型;并且其中所述第二导电区、所述第二端子区和所述第四端子区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型,以及 其中: i所述第二导电区的一部分在横向方向上布置在所述第四端子区和所述第五端子区之间以在所述第五端子区和所述第二导电区之间形成P-N结;或者 ii所述第五端子区和所述第四端子区彼此横靠地布置并且彼此接合以在所述第五端子区和所述第四端子区之间形成P-N结。
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