中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申靖浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011065501.X，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权半导体结构及其制备方法是由申靖浩;高建峰;李俊杰;周娜;刘卫兵设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底；N层间隔设置的金属互连线,N为≥3的正整数；所述N层金属互连线至少包括第一互连线、第二互连线和第三互连线；所述第一互连线和第三互连线通过过孔接触件相连接，所述过孔接触件贯穿所述第二互连线。通过形成1个过孔贯通多层金属互连线，即可将下部特定的某层金属互连线连接，使得工艺简单化，此外，还减少了不必要的金属互连线形成区域以及不必要过孔的占用空间，改善了工艺不良以及提高了器件的集成度，大大降低了器件的尺寸。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； N层间隔设置的金属互连线,N为≥3的正整数； 所述N层金属互连线至少包括第一互连线、第二互连线和第三互连线；所述第一互连线和第三互连线通过过孔接触件相连接，所述过孔接触件贯穿所述第二互连线； 所述过孔接触件与所述第二互连线的连接部分设置绝缘层； 所述过孔接触件与所述第二互连线的未连接部分设置阻挡层； 且绝缘层12与第一阻挡层13首尾相接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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