长江存储科技有限责任公司谢炜获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111632545.0，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法是由谢炜;刘力恒;范冬宇;张静;王迪设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法。调整晶圆翘曲度的方法包括：在晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；根据晶圆在不同方向的翘曲度，将晶圆划分为至少一个晶圆部分和其余晶圆部分，其中，至少一个晶圆部分的翘曲度大于其余晶圆部分的翘曲度；以及向吸光层的对应于至少一个晶圆部分的区域照射激光束，以减小至少一个晶圆部分与其余晶圆部分的翘曲度的差值。
本发明授权半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法在权利要求书中公布了：1.半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括晶圆，其中，所述晶圆的至少一部分的翘曲度大于其余晶圆部分的翘曲度，其特征在于，所述方法包括： 在所述晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层，所述吸光层位于相邻层的所述应力层之间；以及 向所述吸光层的对应于所述晶圆的所述至少一部分的区域照射激光束，使所述应力层的至少一部分应力部分比其余应力部分对晶圆产生更强的拉应力，以减小所述至少一部分与所述其余晶圆部分的不同方向上的翘曲度的差值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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