微软技术许可有限责任公司M·C·卡西迪获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080057494.0，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件是由M·C·卡西迪;S·J·保卡;C·N·艾伦设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件在说明书摘要公布了：描述了与处理量子计算器件以增加沟道迁移率有关的方法。示例方法包括在晶片的表面上形成超导金属层。方法还包括选择性去除超导金属层的一部分，以允许后续形成与器件相关联的栅极电介质，其中选择性去除引起与量子计算器件相关联的沟道迁移率的减小。方法还包括：在形成栅极电介质之前，使晶片经受等离子体处理，其中与等离子体处理相关联的参数集被选择以增加沟道迁移率。
本发明授权一种用于形成量子计算器件的方法以及一种量子计算器件在权利要求书中公布了：1.一种用于形成量子计算器件的方法，包括： 在晶片的表面上形成超导金属层； 选择性去除所述超导金属层的一部分，以允许后续形成与所述量子计算器件相关联的栅极电介质，其中所述选择性去除引起与相邻于与所述量子计算器件相关联的量子阱的沟道迁移率的减小；以及 在形成所述栅极电介质之前，使所述晶片经受等离子体处理，其中与所述等离子体处理相关联的参数集被选择以增加相邻于与所述量子计算器件相关联的所述量子阱的所述沟道迁移率并且增加所述量子阱内的电子的密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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