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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224022146U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520568714.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；漂移层上设有凹槽以及凸起部；低阻区连接至凸起部；P型阱区连接至漂移层，P型阱区外侧面连接至凸起部内侧面以及低阻区内侧面；P型阱区上设有N型源区以及P型源区；P型源区外侧面连接至P型阱区，P型阱区内侧面连接至N型源区外侧面；绝缘介质层下部设于凹槽内，绝缘介质层外侧面分别连接P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；绝缘介质层内设有多晶硅区以及沟槽，沟槽位于多晶硅区正上方；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接低阻区、P型阱区、P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底；降低器件的栅漏电容，提高了器件开关速度。

本实用新型一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种快速开关屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有凹槽以及凸起部； 低阻区，所述低阻区下侧面连接至所述凸起部上侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层，所述P型阱区外侧面连接至所述凸起部内侧面以及低阻区内侧面；所述P型阱区上设有N型源区以及P型源区；所述P型源区外侧面连接至所述P型阱区，所述P型阱区内侧面连接至所述N型源区外侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述绝缘介质层内设有多晶硅区以及沟槽，所述沟槽位于所述多晶硅区正上方； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述低阻区、P型阱区、P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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