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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224022145U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520517389.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；漂移层内设有柱区，柱区连接至碳化硅衬底，漂移层上设有凸起部；第一P型阱区连接至漂移层，第一P型阱区内侧面连接至凸起部外侧面；第一P型阱区上设有第二P型阱区，第二P型阱区上设有N型源区，N型源区内侧面连接至第一P型阱区；肖特基区连接至漂移层，肖特基区内侧面分别连接第一P型阱区以及第二P型阱区；栅极介质层下侧面分别连接N型源区以及第一P型阱区；栅极金属层连接至栅极介质层；源极金属层分别连接肖特基区、第二P型阱区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，在反向耐压时能提供双重保护，从而提高器件的可靠性。

本实用新型一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层内设有柱区，所述柱区下侧面连接至所述碳化硅衬底，所述漂移层上设有凸起部； 第一P型阱区，所述第一P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第一P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述第一P型阱区上设有第二P型阱区，所述第二P型阱区上设有N型源区，所述N型源区内侧面连接至所述第一P型阱区； 肖特基区，所述肖特基区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述肖特基区内侧面分别连接所述第一P型阱区以及第二P型阱区； 栅极介质层，所述栅极介质层下侧面分别连接所述N型源区以及第一P型阱区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极介质层； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述肖特基区、第二P型阱区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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