意法半导体国际公司D·N·圣菲利波获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利一种半导体电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224022143U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520373547.X，技术领域涉及：H10D30/63；该实用新型一种半导体电子器件是由D·N·圣菲利波设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体电子器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体电子设备器件。一种半导体电子器件具有半导体本体，该半导体本体具有第一导电类型、前表面和沿第一方向与前表面相距一定距离的后表面。半导体本体还具有横向边缘。该器件具有有源区，该有源区在使用中容纳该器件的导电沟道；以及边缘端接区域，该边缘端接区域沿横向于第一方向的第二方向在有源区与半导体本体的横向边缘之间围绕有源区。边缘端接区域具有不同于第一导电类型的第二导电类型的多个掺杂部分，并且这些掺杂部分沿第一方向或者沿第一方向和沿第二方向彼此相距一定距离地被布置在半导体本体中。
本实用新型一种半导体电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体电子器件，包括： 半导体本体，具有第一导电类型、前表面以及沿第一方向与所述前表面相距一定距离延伸的后表面，所述半导体本体还具有横向边缘； 有源区，被配置为包括所述半导体电子器件的导电沟道；以及 边缘端接区域，沿横向于所述第一方向的第二方向在所述有源区与所述半导体本体的所述横向边缘之间围绕所述有源区延伸； 其中所述边缘端接区域包括多个掺杂部分，所述多个掺杂部分具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并且沿所述第一方向或者沿所述第一方向和所述第二方向彼此相距一定距离地被布置在所述半导体本体中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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