台湾积体电路制造股份有限公司周君冠获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224022141U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423119859.2，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体装置是由周君冠;苏柏智;王培伦;薛婉君;梁其翔;钟于彰设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种晶体管结构，所述晶体管结构包括场板结构及穿过场板结构的多个介电结构。在晶体管结构的俯视图中，介电结构可以布置成网格。与不存在介电结构的情况相比，介电结构使得场板结构的位置能够更靠近晶体管的栅极结构，这使得场板结构的长度能够在晶体管的总长度不增加或长度增加最小的情况下增加。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 第一源极漏极区，位于衬底中； 第二源极漏极区，位于所述衬底中； 栅极结构，位于所述衬底之上及所述第一源极漏极区与所述第二源极漏极区之间； 场板结构，位于所述衬底之上及所述栅极结构与所述第二源极漏极区之间；以及 至少一介电结构，穿过所述场板结构。
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