内蒙古工业大学;朱景程;卓洪鑫卓洪鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古工业大学;朱景程;卓洪鑫申请的专利一种新型的硫化亚锡力敏电阻获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224020556U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520062115.7,技术领域涉及:H01C13/00;该实用新型一种新型的硫化亚锡力敏电阻是由卓洪鑫;朱景程;付晨轩;冯时;秦福民;钟行设计研发完成,并于2025-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型的硫化亚锡力敏电阻在说明书摘要公布了:本实用新型公开一种新型的硫化亚锡力敏电阻,其能够在受到较小的应力下输出较大的电信号,具有优异的灵敏性。可以在压力计,可穿戴设备等领域中得到应用。该电阻由力敏元件,封装材料组成。该力敏元件包括硫化亚锡薄膜,铜导线。该封装材料包括聚酰亚胺,聚二甲基硅氧烷。硫化亚锡薄膜被底部的聚酰亚胺和上表面的聚二甲基硅氧烷封装。在硫化亚锡薄膜的上表面与聚二甲基硅氧烷连接处,等距离并排着四根铜导线。铜导线与硫化亚锡薄膜间用银浆或焊锡进行连接,另一端则延伸向外用以输出电信号。制备而成的硫化亚锡力敏电阻成本低,制备方便快捷,在设置为简支梁结构下使用时具有巨压阻效应,比传统硅基力敏电阻灵敏性更高。
本实用新型一种新型的硫化亚锡力敏电阻在权利要求书中公布了:1.一种新型的硫化亚锡力敏电阻,其特征在于,包括: 力敏元件,所述力敏元件包括硫化亚锡薄膜和铜导线,所述的硫化亚锡薄膜为矩形,所述铜导线在硫化亚锡薄膜上表面横向等距离并排分布,和 封装材料,所述封装材料包括聚酰亚胺和聚二甲基硅氧烷,用以包覆力敏元件。
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