深圳市广能达半导体科技有限公司李昌超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市广能达半导体科技有限公司申请的专利一种适用于检测模块的屏蔽罩结构及射频电源获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224019882U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520109450.8，技术领域涉及：G01R1/18；该实用新型一种适用于检测模块的屏蔽罩结构及射频电源是由李昌超;邓顶阳;张振伟设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于检测模块的屏蔽罩结构及射频电源在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种适用于检测模块的屏蔽罩结构及射频电源，通过将检测模块安装在罩体的第一容置腔内，将射频输出接头安装在绝缘护套的第二容置腔内，有效地将射频输出接头与检测模块隔离开来，减少了电磁辐射的直接耦合路径，确保检测模块能够在无干扰的环境中正常工作，提高了测量的准确性和可靠性。其次，绝缘护套的设计不仅提供了物理隔离，还具有良好的绝缘性能，能够承受高电压而不发生击穿，通过使用绝缘护套，确保高压信号不会直接接触到检测模块，从而避免了高压击穿的风险，使得检测模块可以在高压环境下安全运行。
本实用新型一种适用于检测模块的屏蔽罩结构及射频电源在权利要求书中公布了：1.一种适用于检测模块的屏蔽罩结构，其特征在于，包括： 罩体1，所述罩体1内设置有第一容置腔，所述第一容置腔用于安装检测模块3； 绝缘护套2，所述绝缘护套2安装在所述罩体1上，所述绝缘护套2内设置有第二容置腔，所述第二容置腔用于安装射频输出接头4。
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