山西中电科电子装备有限公司吴忠举获国家专利权
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龙图腾网获悉山西中电科电子装备有限公司申请的专利一种半导体碳化硅涂层装置、系统及可读存储介质获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224015765U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520626215.8，技术领域涉及：C23C16/32；该实用新型一种半导体碳化硅涂层装置、系统及可读存储介质是由吴忠举;田冬龙;张坚;周世豪;刘晓峰;许河山;郭洋;王灵晓;李刚;韩雨设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体碳化硅涂层装置、系统及可读存储介质在说明书摘要公布了：本实用新型一种半导体碳化硅涂层装置、系统及可读存储介质，属于半导体涂层领域；解决了现有碳化硅涂层装备操作复杂且分解后生成的多种副产物严重影响碳化硅涂层质量的问题；为解决该技术问题采用的技术方案是：包括涂覆腔和控制系统，涂覆腔内的MTS分解区侧连接有MTS气体输送系统，涂覆腔内的电场调控沉积区侧连接有尾气处理系统，涂覆腔内MTS分解区与电场调控沉积区之间还设置有等离子体反应区，电场调控沉积区设置有基体装载机构和电压源，电压源的负极连接于基体装载机构上，电压源的正极连接于涂覆腔的侧壁上，使基体装载机构与涂覆腔的侧壁之间形成电势差，等离子体反应区设置有射频电场发生装置；本实用新型应用于碳化硅涂层。
本实用新型一种半导体碳化硅涂层装置、系统及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体碳化硅涂层装置，其特征在于，包括涂覆腔1和控制系统，所述涂覆腔1内的MTS分解区3侧连接有MTS气体输送系统2，所述涂覆腔1内的电场调控沉积区5侧连接有尾气处理系统6，所述涂覆腔1内MTS分解区3与电场调控沉积区5之间还设置有等离子体反应区4； 所述电场调控沉积区5设置有基体装载机构7和电压源，所述电压源的负极连接于基体装载机构7上，所述电压源的正极连接于涂覆腔1的侧壁上，使基体装载机构7与涂覆腔1的侧壁之间形成电势差； 所述等离子体反应区4设置有射频电场发生装置8。
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