理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司;理想晶延半导体设备(浙江)有限公司梁辰获国家专利权
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龙图腾网获悉理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司;理想晶延半导体设备(浙江)有限公司申请的专利一种用于向下线性蒸发镀膜的真空镀膜设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224015751U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520542952.X，技术领域涉及：C23C14/24；该实用新型一种用于向下线性蒸发镀膜的真空镀膜设备是由梁辰;刘寅设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于向下线性蒸发镀膜的真空镀膜设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及真空镀膜领域，提供一种用于向下线性蒸发镀膜的真空镀膜设备，包括真空腔体、输送机构和蒸发源，真空腔体两端侧壁上设有阀门，阀门内适于通过基板，真空腔体顶部设有装配孔；输送机构设置于真空腔体内，输送机构相对位于基板下方并适于输送基板；蒸发源适于安装于真空腔体顶部的装配孔内，蒸发源适于对基板进行全面积的向下线性蒸发镀膜。本申请的蒸发源设置于真空腔体顶部的装配孔，基板设置于真空腔体内部且相对位于蒸发源下方，输送机构位于基板下方，蒸发源不产生任何遮挡，使得蒸发源适于对基板进行全面积的向下线性蒸发镀膜，既可以保证基板的形变量要求，也可以保证镀膜的镀膜质量和工艺效果。
本实用新型一种用于向下线性蒸发镀膜的真空镀膜设备在权利要求书中公布了：1.一种用于向下线性蒸发镀膜的真空镀膜设备，其特征在于，包括： 真空腔体，所述真空腔体两端侧壁上设有阀门，所述阀门内适于通过基板，所述真空腔体顶部设有装配孔； 输送机构，所述输送机构设置于所述真空腔体内，所述输送机构相对位于所述基板下方并适于输送所述基板； 蒸发源，所述蒸发源适于安装于所述真空腔体顶部的所述装配孔内，所述蒸发源适于对所述基板进行全面积的向下线性蒸发镀膜。
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