海南大学郭哲杉获国家专利权
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龙图腾网获悉海南大学申请的专利一种脑机接口电极保护罩获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224008396U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423250310.7，技术领域涉及：A61B5/293；该实用新型一种脑机接口电极保护罩是由郭哲杉;严定龙;颜浩;殷明设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种脑机接口电极保护罩在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种脑机接口电极保护罩，涉及脑机接口技术领域，包括固定件和顶盖；固定件用于设于检测对象颅脑电极植入处，并与颅脑连接；顶盖设于固定件，顶盖与固定件连接，顶盖包括第一盖体和第二盖体，第一盖体与第二盖体连接，第一盖体和第二盖体共同界定形成第一容纳腔，第一容纳腔用于罩设于圆柱体型的压接式接口外，第一盖体设有第二容纳腔，第二容纳腔用于罩设于长方体型的插针式接口外。上述脑机接口电极保护罩，第一容纳腔能够罩设于圆柱体型的压接式接口外，第二容纳腔能够罩设于长方体型的插针式接口外，通过对应设置不同类型的容纳腔，从而有效地同时保护不同类型的电极接口，使用方便，适用于同时使用多种类型的电极的情况。
本实用新型一种脑机接口电极保护罩在权利要求书中公布了：1.一种脑机接口电极保护罩，其特征在于，包括： 固定件，用于设于检测对象颅脑电极植入处，并与颅脑连接； 顶盖，设于所述固定件，与所述固定件连接，所述顶盖包括第一盖体和第二盖体，所述第一盖体与所述第二盖体连接，所述第一盖体和所述第二盖体共同界定形成第一容纳腔，所述第一容纳腔用于罩设于圆柱体型的压接式接口外，所述第一盖体设有第二容纳腔，所述第二容纳腔用于罩设于长方体型的插针式接口外。
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