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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利新型电泵AlGaN基深紫外激光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121546432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610080814.3，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权新型电泵AlGaN基深紫外激光二极管及其制备方法是由孙晓娟;张春月;蒋科;黎大兵;吕顺鹏;张山丽设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本新型电泵AlGaN基深紫外激光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种新型电泵AlGaN基深紫外激光二极管及其制备方法。结构包括：包括堆叠结构、钝化层、n型和p型金属电极层；堆叠结构依次堆叠衬底、模板层、底部DBR层、呈台阶状的n型AlGaN层、微腔LED有源区层、p型AlGaN层、呈台阶状的p型AlGaN接触层、顶部DBR层、下波导层、LD多量子阱层和上波导层；p型AlGaN接触层的脊面宽度≥100μm；钝化层覆盖堆叠结构表面及侧壁，且在n型AlGaN层和p型AlGaN接触层的台阶面处分别开设有电极层生长通道；n型和p型金属电极层分别贯穿对应的电极层生长通道。优点在于：宽脊设计提升光输出功率，性能优异，减少刻蚀损伤。

本发明授权新型电泵AlGaN基深紫外激光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型电泵AlGaN基深紫外激光二极管，其特征在于：包括堆叠结构、钝化层、n型金属电极层和p型金属电极层； 堆叠结构由下至上依次堆叠衬底、模板层、底部DBR层、n型AlGaN层、微腔LED有源区层、p型AlGaN层、p型AlGaN接触层、顶部DBR层、下波导层、LD多量子阱层和上波导层； 其中，n型AlGaN层远离衬底的一侧表面呈台阶状结构；台阶状结构包括一个脊面和两个独立的台阶面，脊面承载微腔LED有源区层； p型AlGaN接触层远离衬底的一侧表面呈台阶状结构；台阶状结构包括一个脊面和两个独立的台阶面，脊面承载顶部DBR层且脊面的宽度不低于100μm； 钝化层覆盖堆叠结构表面及侧壁，且在n型AlGaN层的台阶面、p型AlGaN接触层的台阶面处分别开设有电极层生长通道； n型金属电极层和p型金属电极层分别贯穿对应的电极层生长通道，分别与n型AlGaN层及p型AlGaN接触层的台阶面接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，其通讯地址为：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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