合肥晶合集成电路股份有限公司桑华煜获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610023786.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由桑华煜;汪华;程洋;杨宗凯设计研发完成，并于2026-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LDMOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域。LDMOS器件包括第一场板和第二场板；第一场板插入漂移区并贯穿栅氧化层，第一场板包括第一PN结，第一PN结的PN结交界面高于漂移区表面，使得第一PN结在漂移区中仅包括第一类离子，在栅极结构开启状态下，因静电效应导致第一PN结耗尽区边界移动，使得第一PN结在漂移区表面形成一道导电沟道，第一类离子与漂移区的导电类型相反，导电沟道与漂移区的导电类型相同；第二场板位于栅氧化层表面靠近漏区的一端。该LDMOS器件能够在不影响比导通电阻的情况下具有较高的击穿电压。
本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括位于半导体衬底上的阱区和漂移区，所述阱区和所述漂移区的导电类型相反，所述阱区内设有源区，所述漂移区内设有漏区，所述阱区和所述漂移区交界处的上表面设置有栅极结构，所述栅极结构包括连接所述阱区和所述漂移区的多晶硅栅极，以及在所述多晶硅栅极和所述漂移区之间的栅氧化层； 所述LDMOS器件还包括：第一场板和第二场板，所述第一场板插入所述漂移区并贯穿所述栅氧化层，所述第一场板包括第一PN结，所述第一PN结的PN结交界面高于所述漂移区表面，使得所述第一PN结在所述漂移区中仅包括第一类离子，在所述栅极结构开启状态下，因静电效应导致所述第一PN结耗尽区边界移动，使得所述第一PN结在所述漂移区表面形成一道导电沟道，所述第一类离子与所述漂移区的导电类型相反，所述导电沟道与所述漂移区的导电类型相同； 所述第二场板位于所述栅氧化层表面靠近所述漏区的一端。
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