苏州大学;北京天钰光能有限公司司先鹏程获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学;北京天钰光能有限公司申请的专利一种红外窄带光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511984085.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种红外窄带光电器件及其制备方法是由司先鹏程;李亮;李登兵;田维;李胜宏;武照清;曹子伟设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外窄带光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外窄带光电器件及其制备方法，包括如下步骤：在FTO玻璃上制备电子传输层后，在电子传输层上制备活性吸收层，将活性吸收层进行氯化镉处理钝化缺陷后，在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层，当空穴传输层为氧化镍层时，在空穴传输层上制备硫氰酸亚铜层，于250±5℃退火10‑30min将铜扩散至FTO玻璃界面，在硫氰酸亚铜层表面制备透明电极。本发明在制备硫氰酸亚铜层后进行高温退火处理，使铜充分扩散掺杂至活性吸收层，P型掺杂浓度提升，获取极窄的内建电场，实现载流子收集窄化效果，具有稳定性高，使用寿命长，响应速度快，响应度高、波段选择性强、响应波段宽幅可调、半高宽窄等优点。
本发明授权一种红外窄带光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外窄带光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、在FTO玻璃上制备电子传输层后，在电子传输层上制备活性吸收层； 其中，所述活性吸收层的材质为Cd1-xZnxTe或CdSeyTe1-y，0≤x≤1,0≤y≤1； S2、将活性吸收层进行氯化镉处理后，在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层； 其中，当空穴传输层为氧化镍层时，在空穴传输层上制备硫氰酸亚铜层； S3、于250±5℃退火10-30min将铜扩散至FTO玻璃界面； S4、在硫氰酸亚铜层表面制备透明电极。
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