苏州矩阵光电有限公司肖广顺获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利静电放电性能优化方法以及薄膜转移型器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121457156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202512057211.X,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权静电放电性能优化方法以及薄膜转移型器件是由肖广顺;何渊;朱忻设计研发完成,并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电性能优化方法以及薄膜转移型器件在说明书摘要公布了:本申请提供一种静电放电性能优化方法以及薄膜转移型器件,其中,静电放电性能优化方法应用于薄膜转移型器件,包括:对薄膜转移型器件的仿真模型施加ESD脉冲电流,获取ESD仿真结果;基于ESD仿真结果,确定静电放电易受损区域;调整薄膜转移型器件的影响参数,将静电放电易受损区域的温度调节至不大于预设温度阈值的数值,以优化薄膜转移型器件的静电放电性能;其中,预设温度阈值与薄膜转移型器件中功能材料熔点的数值相等。通过降低静电放电易受损区域产热或增加静电放电易受损区域散热,从而优化薄膜转移型器件的静电放电性能,有效提升了器件的静电放电性能。
本发明授权静电放电性能优化方法以及薄膜转移型器件在权利要求书中公布了:1.一种静电放电性能优化方法,其特征在于,应用于薄膜转移型器件,所述方法包括: 对所述薄膜转移型器件的仿真模型施加ESD脉冲电流,获取ESD仿真结果; 基于所述ESD仿真结果,确定静电放电易受损区域;其中,所述静电放电易受损区域为所述薄膜转移型器件在仿真过程中温度高于预设温度阈值的区域;其中,所述预设温度阈值与所述薄膜转移型器件中功能材料熔点的数值相等; 调整所述薄膜转移型器件的影响参数,将所述静电放电易受损区域的所述温度调节至不大于所述预设温度阈值的数值,以优化所述薄膜转移型器件的静电放电性能;其中,所述影响参数为影响所述静电放电易受损区域的所述温度的参数; 所述调整所述薄膜转移型器件的影响参数,将所述静电放电易受损区域的所述温度调节至不大于所述预设温度阈值的数值,包括: 将所述静电放电易受损区域所在局部结构区域的功能薄膜层的弯曲弧度调整至预设弧度值,以将所述静电放电易受损区域的所述温度调节至不大于所述预设温度阈值的数值; 和或,将所述静电放电易受损区域所在整体结构层的横截面面积调整至第一预设面积,或者,将所述静电放电易受损区域所在局部结构区域的横截面面积调整至第二预设面积,以将所述静电放电易受损区域的所述温度调节至不大于所述预设温度阈值的数值; 和或,在所述静电放电易受损区域所在整体结构层增设散热层,或者,在所述静电放电易受损区域所在局部结构区域增设散热层,以将所述静电放电易受损区域的所述温度调节至不大于所述预设温度阈值的数值。
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