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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利一种传感框架结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121454125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512052033.1，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种传感框架结构及其制备方法是由朱忻设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种传感框架结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种传感框架结构及其制备方法，传感框架结构应用于电流传感器，包括磁敏检测组件和层叠设置的多层电流传输结构；多层电流传输结构的部分结构嵌设于衬底，多层电流传输结构的一端嵌入衬底内，多层电流传输结构的另一端延伸至衬底外，多层电流传输结构沿第一方向贯穿衬底，多层电流传输结构沿第一方向的上下端面均裸露于衬底；磁敏检测组件包括第一磁敏检测芯片和第二磁敏检测芯片，第一磁敏检测芯片与第二磁敏检测芯片分别设置在多层电流传输结构沿第二方向上的两侧，且第一磁敏检测芯片与第二磁敏检测芯片均位于衬底上，利用本申请提供的技术方案能够在提升电流测量最大值和测量灵敏度的同时，还可提高非共模干扰的抗干扰能力。

本发明授权一种传感框架结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种传感框架结构，其特征在于，所述传感框架结构应用于电流传感器，包括磁敏检测组件和层叠设置的多层电流传输结构2； 所述多层电流传输结构2的部分结构嵌设于衬底1，所述多层电流传输结构2的一端嵌入所述衬底1内，所述多层电流传输结构2的另一端延伸至所述衬底1外，所述多层电流传输结构2沿第一方向贯穿所述衬底1，所述多层电流传输结构2沿所述第一方向的上下端面均裸露于所述衬底1； 所述磁敏检测组件包括第一磁敏检测芯片31和第二磁敏检测芯片32，所述第一磁敏检测芯片31与所述第二磁敏检测芯片32分别设置在所述多层电流传输结构2沿第二方向上的两侧，且所述第一磁敏检测芯片31与所述第二磁敏检测芯片32均位于所述衬底1上，所述第一方向与所述第二方向互相垂直； 所述多层电流传输结构2由电流导体结构4进行多等分后折叠形成，所述多层电流传输结构2的层数大于等于3层，所述多层电流传输结构2沿第一方向的上端面到所述衬底1相邻一侧的距离，与所述多层电流传输结构2沿第一方向的下端面到所述衬底1相邻一侧的距离相等，通过将所述多层电流传输结构2的部分结构嵌设于所述衬底1，且裸露在外的结构相同，以确保所述多层电流传输结构2产生的磁力线6垂直穿入位于所述多层电流传输结构2两侧的所述第一磁敏检测芯片31与所述第二磁敏检测芯片32。

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