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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512047619.9，技术领域涉及：H10N59/00；该发明授权两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法是由吴云鹏;朱忻设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法，仅需要四个同一平面设置的霍尔芯片以及相应的聚磁体，结构简单紧凑、稳定性高，容易实现微型封装；两组差分霍尔对独立正常工作，分别输出单个方向上的差分信号，且当每组霍尔芯片上设置的两个聚磁体在其对应的霍尔芯片功能区产生的对干扰磁场的聚磁效果及对待测磁场方向的聚磁偏转能力十分接近甚至相同时，对于垂直于待测磁场平面的干扰磁场信号隔离度高并便于待测磁场方向并联霍尔电势的差分输出；本发明的聚磁体设计方法，可设计出不同大小、旋转角度互相匹配的一组聚磁体，消除干扰磁场信号的影响，实现差分信号的正确输出，增加设计自由度，适用于更加丰富的应用场景。

本发明授权两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种两差分2D霍尔集成芯片的设计方法，其特征在于，所述两差分2D霍尔集成芯片包括： 两组差分霍尔对以及位于两组所述差分霍尔对上的聚磁体；其中，两组所述差分霍尔对位于同一平面内以测量该平面内两个互相垂直方向的磁场； 每组所述差分霍尔对包括两个相同的十字形霍尔芯片，其中一个所述霍尔芯片产生的第一霍尔电势与另一个所述霍尔芯片产生的第二霍尔电势通过并联方式实现信号引出； 每组所述差分霍尔对上的两个所述聚磁体设置在两个所述霍尔芯片十字区相对的外边直角上方；其中，两组所述差分霍尔对上的所有所述聚磁体为形状相同的关于两互相垂直轴对称的多边形，两组所述差分霍尔对邻近的两个所述霍尔芯片上方共用一个所述聚磁体，称为复用聚磁体，且所述复用聚磁体相对无旋转设置在两个所述霍尔芯片十字区的外边直角上方； 所述两差分2D霍尔集成芯片的设计方法包括每组所述差分霍尔对上的所述聚磁体的设计方法，所述聚磁体的设计方法包括： S1，根据设计需求先确定所述复用聚磁体的形状及尺寸； S2，计算所述复用聚磁体对于磁场测量平面垂直方向上的预设干扰磁场的第一偏移值，其中，所述第一偏移值为所述复用聚磁体对所述预设干扰磁场聚磁后在相应的霍尔芯片功能区感应的磁通密度与所述干扰磁场在相应的霍尔芯片功能区感应的磁通密度之间的差值； S3，计算另一所述聚磁体在多个不同尺寸下对所述预设干扰磁场的多个第二偏移值，其中，所述第二偏移值为另一所述聚磁体对所述预设干扰磁场聚磁后在相应的霍尔芯片功能区感应的磁通密度与所述干扰磁场在相应的霍尔芯片功能区感应的磁通密度之间的差值； S4，选取与所述第一偏移值相同的所述第二偏移值对应的尺寸作为另一所述聚磁体的尺寸，从而得到另一所述聚磁体的尺寸； S5，计算所述复用聚磁体对磁场测量平面内待测磁场方向上的预设待测磁场相对所述待测磁场方向引起的相位偏转角度； S6，将确定尺寸的另一所述聚磁体旋转所述相位偏转角度；且旋转的初始位置为另一所述聚磁体对磁场测量平面内产生最大聚磁效果的磁场方向与所述预设待测磁场方向相同时另一所述聚磁体在相应的所述霍尔芯片上的位置。

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