苏州矩阵光电有限公司朱忻获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512051817.2，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法是由朱忻设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法，包括衬底和磁敏传感组件；磁敏传感组件包括第一聚磁结构、层状导体结构和第二聚磁结构，第一聚磁结构与第二聚磁结构，沿垂直于层状导体结构的方向布置于层状导体结构的两侧，第二聚磁结构设置在衬底中，在层状导体结构沿水平方向上的两侧均设有磁敏感芯片；第一聚磁结构为半包围结构，呈半包围结构的第一聚磁结构包括聚磁层和至少一个聚磁件，聚磁层、层状导体结构和第二聚磁结构依次层叠设置，至少一个聚磁件沿平行于层状导体结构的方向布置在层状导体结构的侧边上，聚磁层与聚磁件互相垂直，本申请制备的霍尔传感框架结构可同时兼顾高灵敏度、宽测量范围和强抗干扰能力。
本发明授权一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构，其特征在于，包括衬底1和设置在所述衬底1上的磁敏传感组件； 所述磁敏传感组件包括第一聚磁结构2、层状导体结构3和第二聚磁结构4，所述第一聚磁结构2与所述第二聚磁结构4，沿垂直于所述层状导体结构3的方向布置于所述层状导体结构3的两侧，所述第二聚磁结构4设置在所述衬底1中，在所述层状导体结构3沿水平方向上的两侧均设有磁敏感芯片7； 所述第一聚磁结构2为半包围结构，呈半包围结构的第一聚磁结构2包括聚磁层21和至少一个聚磁件，所述聚磁层21、所述层状导体结构3和所述第二聚磁结构4依次层叠设置，所述至少一个聚磁件沿平行于所述层状导体结构3的方向布置在所述层状导体结构3的侧边上，所述聚磁层21与所述聚磁件互相垂直。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州矩阵光电有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道14号(凤凰科创园D栋、E栋)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励