深圳辰达半导体有限公司马奕勉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512034340.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法是由马奕勉;马奕俊设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法，所述方法包括一P型衬底；形成于所述衬底内的N型阱层和P型阱层；形成于所述N型阱层表面的至少一个P型掺杂层；形成于所述P型阱层表面的至少一个N型掺杂层；设置在N型阱层和P型阱层之间的第三沟槽，设置在第三沟槽上的悬浮式电场调制结构。本发明通过引入悬浮式电场调制结构，在不增加器件漏电和不改变主放电路径的前提下，实现了对SCR触发过程的动态电场调控，使器件兼具低触发电压、适中的保持电压、优异的大电流放电能力以及良好的静态可靠性。
本发明授权具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有折回式触发机制的ESD保护器件，其特征在于，所述器件包括： 一P型衬底； 形成于所述衬底内的N型阱层和P型阱层；所述N型阱层和P型阱层在横向上相邻设置，且导电类型相反，在其交界处形成PN结层域； 形成于所述N型阱层表面的至少两个P型掺杂层；P型掺杂层之间设有第一沟槽；第一沟槽是隔离沟槽； 形成于所述P型阱层表面的至少两个N型掺杂层；N型掺杂层之间设有栅极结构； 设置在N型阱层和P型阱层之间的第三沟槽，设置在第三沟槽上的悬浮式电场调制结构；所述悬浮式电场调制结构设置于N型阱层和P型阱层的交界层域处，所述悬浮式电场调制结构通过介质层与所述衬底电隔离，电场调制结构不参与任何直流或瞬态导电路径；所述第三沟槽是隔离沟槽，第三沟槽不是贯穿结构，所述电场调制结构为导电材料； 其中，当静电放电脉冲施加于保护器件时，悬浮式电场调制结构在瞬态高电场作用下对所述交界层域施加附加电场调制，使所述静电放电电流在预定层域内建立传导路径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳辰达半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区鸿荣源北站中心B塔1303；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励