苏州凌存科技有限公司陈劲中获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州凌存科技有限公司申请的专利一种硅电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511942236.1，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种硅电容器及其制备方法是由陈劲中;吴迪设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种硅电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供的硅电容器包括：硅晶圆，包括相对设置的上表面和下表面；硅晶圆的上表面的中心区域设有多个沟槽，沟槽的开口与硅晶圆的上表面齐平；在硅晶圆的上表面无沟槽区域和沟槽内设有介电层薄膜；在介电层薄膜上表面、与中心区域对应位置处设有硅电容的上电极；在介电层薄膜上表面、与硅电容的上电极间隔第一预设距离处，设有MIM电容的上电极，硅电容和MIM电容的上表面齐平；金属线，金属线连接硅电容和MIM电容的上表面；在硅晶圆的下表面和金属线的上表面分别设有第一电极和第二电极。本申请提供的硅电容器及其制备方法，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本。
本发明授权一种硅电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅电容器，其特征在于，所述硅电容器包括： 硅晶圆，包括相对设置的上表面和下表面； 所述硅晶圆的上表面的中心区域设有多个沟槽，所述沟槽的开口与所述硅晶圆的上表面齐平；在所述硅晶圆的上表面无沟槽区域和所述沟槽内设有介电层薄膜；在所述介电层薄膜上表面、与所述中心区域对应位置处设有硅电容的上电极；在所述介电层薄膜上表面、与所述硅电容的上电极间隔第一预设距离处，设有MIM电容的上电极，所述硅电容和所述MIM电容的上表面齐平； 金属线，所述金属线连接所述硅电容和所述MIM电容的上表面； 在所述硅晶圆的下表面和所述金属线的上表面分别设有第一电极和第二电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州凌存科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区科营路2号中新生态大厦1706室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励