买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511894407.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由宋逸贤;许凯;高大为设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：基底；漂移区，位于所述基底上；沟道层，位于所述漂移区内；阱区，位于所述基底上，且与所述漂移区的第一侧相邻；第一栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述阱区和沟道层；源极掺杂层，位于所述第一栅极结构一侧的阱区内；漏极掺杂层，位于所述漂移区内且邻近所述漂移区的第二侧；第二栅极结构，位于所述源极掺杂层一侧的阱区内，且远离所述第一栅极结构；其中，所述第二栅极结构的深度大于所述源极掺杂层的深度，以及所述第二栅极结构的深度大于所述沟道层的深度。采用上述方法，可以提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 漂移区，位于所述基底上； 沟道层，位于所述漂移区内； 阱区，位于所述基底上，且与所述漂移区的第一侧相邻； 第一栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述阱区和沟道层； 源极掺杂层，位于所述第一栅极结构一侧的阱区内，包括：并列排布且具有间隔的源极第一子掺杂层和源极第二子掺杂层； 漏极掺杂层，位于所述漂移区内且邻近所述漂移区的第二侧； 第二栅极结构，位于所述源极掺杂层一侧的阱区内，且远离所述第一栅极结构； 其中，所述第二栅极结构的深度大于所述源极掺杂层的深度，以及所述第二栅极结构的深度大于所述沟道层的深度； 所述第二栅极结构与所述源极第一子掺杂层之间的距离，大于所述第一栅极结构与所述源极第二子掺杂层之间的距离； 体接触层，位于所述源极第一子掺杂层和源极第二子掺杂层之间，所述体接触层的第二深度大于所述源极第一子掺杂层的深度，所述源极第一子掺杂层的深度大于所述源极第二子掺杂层的深度，且与所述沟道层在所述阱区的投影无交叠； 埋层，位于所述漂移区内，所述埋层深度小于所述源极第二子掺杂层的深度，且等于所述沟道层深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。