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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利梯度掺杂钙钛矿/铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121355700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511917871.4，技术领域涉及：H01S5/32；该发明授权梯度掺杂钙钛矿/铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法是由闫家旭;曹琛;曹智龙;徐佳俊;阿茹燃;陈俞娴;申德振设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本梯度掺杂钙钛矿/铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子集成器件技术领域，尤其涉及一种梯度掺杂钙钛矿铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法。包括：超声清洗铌酸锂微盘芯片，高纯氮气吹干；通入氩气等离子体，进行5~15分钟活化处理；配制稀土离子占钙钛矿中金属阳离子总摩尔量10~15%的前驱体溶液；经磁力搅拌、滤膜过滤后，取少量前驱体溶液滴覆于处理后的铌酸锂微盘表面，旋涂形成高掺杂界面锚定层；配制稀土离子占钙钛矿中金属阳离子总摩尔量的2~5%的主前驱体溶液；在高掺杂界面锚定层未完全干燥时，滴加主前驱体溶液，以预设旋涂参数进行旋涂，得到主增益层；执行两阶段退火程序，冷却至室温。优点在于：不在非激光区域引入额外光损耗，系统集成度更高。

本发明授权梯度掺杂钙钛矿/铌酸锂异质结片上激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度掺杂钙钛矿铌酸锂异质结片上激光器的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤： S1.选用已加工完成的铌酸锂微盘芯片，超声清洗8~15分钟，清洗后用高纯氮气吹干表面水分；通入氩气等离子体，在80~150W功率下进行5~15分钟活化处理； S2.配制高稀土掺杂的前驱体溶液，使稀土离子占钙钛矿中金属阳离子总摩尔量的10~15%；经磁力搅拌后，通过0.22μm滤膜过滤；取少量前驱体溶液滴覆于处理后的铌酸锂微盘表面，以1000~1500rpm转速旋涂25~40秒，形成高掺杂界面锚定层； S3.配制常规稀土掺杂浓度的主前驱体溶液，使稀土离子占钙钛矿中金属阳离子总摩尔量的2~5%；在高掺杂界面锚定层未完全干燥时，滴加主前驱体溶液以预设旋涂参数进行旋涂，得到主增益层； S4.旋涂完成后，立即转移至充满氩气保护气氛的热板上，执行两阶段退火程序：第一阶段设定温度65~75℃，保温1~3分钟；将温度升至95~105℃，保温6~10分钟；冷却至室温，得到梯度掺杂钙钛矿铌酸锂异质结片上激光器。

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