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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种阈值可调的神经元器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121351907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511936258.7，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种阈值可调的神经元器件及其制备方法是由张续猛;丁燕婷;刘琦;刘明设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阈值可调的神经元器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种阈值可调的神经元器件及其制备方法，神经元器件包括MIM结构、加热层和导热层，加热层位于MIM结构的上方或下方，并经过导热层与MIM结构接触，加热层的一端输入电压信号，另一端接地；通过对加热层的输入电压信号进行调整，以产生热场通过导热层作用于MIM结构的功能层，从而调节神经元器件的阈值开关电压。与现有技术相比，本发明同时具备非线性阈值响应与阈值可调特性，有望用于硬件实现生物中的增益调制相关计算。

本发明授权一种阈值可调的神经元器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阈值可调的神经元器件的制备方法，其特征在于，所述神经元器件包括MIM结构、加热层和导热层，所述加热层位于所述MIM结构的上方或下方，并经过所述导热层与所述MIM结构接触，所述加热层的一端输入电压信号，另一端接地； 通过对所述加热层的输入电压信号进行调整，以产生热场通过导热层作用于所述MIM结构的功能层，从而调节神经元器件的阈值开关电压； 所述MIM结构包括自下而上依次分布的底电极、功能层和顶电极，所述功能层采用Mott转变材料，所述顶电极接收有驱动型输入电压信号； 所述加热层位于所述MIM结构的下方，所述加热层、导热层、底电极、功能层和顶电极自下而上依次分布；所述制备方法包括以下步骤： 在氧化硅片上光刻出加热层的图形，并溅射加热层，加热层的厚度为20~40nm，溅射完后剥离残余； 在加热层上光刻出导热层的图形，并溅射导热层，导热层的厚度为10nm~40nm，溅射完后剥离残余； 在导热层上光刻出底电极的图形，并溅射底电极，底电极的厚度为20~40nm，溅射完后剥离残余； 在底电极上光刻出功能层的图形，并溅射功能层，功能层的厚度为30~50nm，溅射完后剥离残余； 在功能层上光刻出顶电极的图形，溅射顶电极，顶电极的厚度为20~40nm，溅射完后剥离残余，得到最终的阈值可调的神经元器件； 或者，所述加热层位于所述MIM结构的上方，所述底电极、功能层、顶电极、导热层和加热层自下而上依次分布；所述制备方法包括以下步骤： 在氧化硅片上光刻出底电极的图形，并溅射底电极，底电极的厚度为20~40nm，溅射完后剥离残余； 在底电极上光刻出功能层的图形，并溅射功能层，功能层的厚度为30~50nm，溅射完后剥离残余； 在功能层上光刻出顶电极的图形，溅射顶电极，顶电极的厚度为20~40nm，溅射完后剥离残余； 在顶电极上光刻出导热层的图形，并溅射导热层，导热层的厚度为10nm~40nm，溅射完后剥离残余； 在导热层上光刻出加热层的图形，并溅射加热层，加热层的厚度为20~40nm，溅射完后剥离残余，得到最终的阈值可调的神经元器件。

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