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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利集成时域与频域均衡的超宽带电光调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121348602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511902065.X，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权集成时域与频域均衡的超宽带电光调制器及其制备方法是由李明;王星宇;谢毓俊;李伟设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成时域与频域均衡的超宽带电光调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种集成时域与频域均衡的超宽带电光调制器及其制备方法，该超宽带电光调制器包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层、氮化硅波导、锆钛酸铅薄膜波导、第一共面行波电极和二氧化硅包埋层；锆钛酸铅薄膜波导构成两个并行臂，两个并行臂的第一区段被正向极化，第二区段被反向极化，氮化硅波导层设于第一区段中与第二区段相接的区段；第一共面行波电极用于传输微波信号；基于微波信号在正向极化区段对光信号进行正向相位调制，在反向极化区段对光信号进行反向相位调制；氮化硅波导在微波信号与光信号之间引入时域延迟；基于该时域延迟提高光信号正向相位调制和反向相位调制的微波损耗差异，以补偿高频调制响应衰减，实现时域和频域的联合均衡。

本发明授权集成时域与频域均衡的超宽带电光调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成时域与频域均衡的超宽带电光调制器，其特征在于，从下至上依次包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层、氮化硅波导、锆钛酸铅薄膜波导和二氧化硅包埋层； 所述锆钛酸铅薄膜波导构成两个并行臂，所述两个并行臂的第一区段被正向极化，第二区段被反向极化，所述氮化硅波导设于第一区段中与第二区段相接的区段； 还包括第一共面行波电极和第二共面行波电极，在所述锆钛酸铅薄膜波导上沉积并图案化第一金属层，形成第一共面行波电极；在所述锆钛酸铅薄膜波导下游沉积并图案化第二金属层，形成第二共面行波电极；在形成有所述第一共面行波电极和所述第二共面行波电极的基片上，沉积所述二氧化硅包埋层； 其中，在所述超宽带电光调制器启用之前，通过所述第一共面行波电极对所述锆钛酸铅薄膜波导施加正向电压进行正向极化；通过所述第二共面行波电极对所述第二区段施加反向电压进行反向极化，使所述第一区段保持正向极化的同时，所述第二区段被反向极化； 在所述超宽带电光调制器启用时，所述第一共面行波电极用于传输微波信号；所述微波信号用于在所述第一区段对光信号进行正向相位调制，在所述第二区段对光信号进行反向相位调制； 所述氮化硅波导与所述锆钛酸铅薄膜波导倏逝波耦合，用于在所述微波信号与正向相位调制之后的光信号之间引入受控的时域延迟；在进行反向相位调制时，基于所述时域延迟，补偿所述光信号正向相位调制和反向相位调制的微波损耗差异所导致的高频调制响应衰减，最终实现时域和频域的联合均衡以扩展调制带宽。

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