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龙图腾网获悉湖南进芯电子科技有限公司申请的专利一种基于电流镜的相电流检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121347873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511897155.4，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种基于电流镜的相电流检测电路是由黄磊;刘成凯;黄嵩人设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电流镜的相电流检测电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于电流镜的相电流检测电路，涉及电流检测、集成电路设计领域，包括：功率MOS电路I1，用于根据高边桥开关信号及低边桥开关信号输出相电流；低边功率MOS相电流镜像电路I2与所述功率MOS电路I1连接，用于将功率MOS电路I1输出的相电流等比例镜像缩小后的镜像电流输出给低边功率MOS相电流转换电路I3；低边功率MOS相电流转换电路I3与所述低边功率MOS相电流镜像电路I2连接，用于将镜像电流转换为相电流检测输出电压输出；本发明解决了传统电流检测电路只能测母线电流、无法区分相电流，且采样电阻难以片内集成、集成度低易受干扰的问题，具备成本低、灵敏度高、响应速度快、抗干扰能力强的特点。

本发明授权一种基于电流镜的相电流检测电路在权利要求书中公布了：1.一种基于电流镜的相电流检测电路，其特征在于，包括以下模块：功率MOS电路I1，低边功率MOS相电流镜像电路I2，低边功率MOS相电流转换电路I3； 所述功率MOS电路I1，用于根据高边桥开关信号及低边桥开关信号输出相电流；所述功率MOS电路I1包括第一晶体管M1及第二晶体管M2； 所述第一晶体管M1的栅极与所述高边桥开关信号连接，漏端与高压电压域电源连接，源端与所述第二晶体管M2的漏端连接；所述第二晶体管M2的栅端与所述低边桥开关信号连接，源端与参考地连接；所述相电流为流过第二晶体管M2的电流； 所述高边桥开关信号与低边桥开关信号由驱动电路产生，这两种信号不会同时为高电平； 所述低边功率MOS相电流镜像电路I2与所述功率MOS电路I1连接，用于将功率MOS电路I1输出的相电流等比例镜像缩小后的镜像电流输出给所述低边功率MOS相电流转换电路I3； 所述低边功率MOS相电流镜像电路I2包括第三晶体管M3、第四晶体管M4、第六晶体管M6、第七晶体管M7及运算放大器；所述第三晶体管M3的栅端与所述低边桥开关信号连接，源端与参考地连接，漏端分别与所述第四晶体管M4的漏端、第七晶体管M7的漏端及运算放大器的同相输入端连接；所述第四晶体管M4的源端与低压电压域电源连接；所述第六晶体管M6的栅端与低压使能信号连接，漏端与第二晶体管M2的漏端连接，源端与所述运算放大器的反向输入端连接；所述第七晶体管M7的栅端与低边桥开关信号连接，源端与低压电压域电源连接；所述运算放大器的输出端与低边功率MOS相电流转换电路I3连接； 所述低边功率MOS相电流转换电路I3与所述低边功率MOS相电流镜像电路I2连接，用于将镜像电流转换为相电流检测输出电压输出。

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