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盛吉盛半导体科技(北京)有限公司张显越获国家专利权

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龙图腾网获悉盛吉盛半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种基于透射与辐射的晶圆测温方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121346983B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511804684.5,技术领域涉及:G01J5/00;该发明授权一种基于透射与辐射的晶圆测温方法、装置、设备及介质是由张显越;李志达设计研发完成,并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于透射与辐射的晶圆测温方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于透射与辐射的晶圆测温方法、装置、设备及介质,其属于半导体制造技术领域,所述晶圆测温方法包括:获取晶圆的复合光信号;将复合光信号按照波长划分为第一信号和第二信号,第一信号的波长小于第二信号的波长;将第一信号输入预设的透射法测温模型中得到低温温度值;将第二信号输入预设的辐射法测温模型中得到高温温度值;根据低温温度值和高温温度值计算得到最终温度。本发明通过辐射法测温模型和透射法测温模型计算低温温度值和高温温度值,再结合两种温度值计算得到最终温度,结合透射法和辐射法可在一个机台上实现低温和高温两类工艺配方,大大降低了机台成本,且大大提高了机台的可操作性。

本发明授权一种基于透射与辐射的晶圆测温方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了:1.一种基于透射与辐射的晶圆测温方法,其特征在于,包括以下步骤: S1:获取晶圆的复合光信号; S2:将步骤S1中获取的所述复合光信号按照波长划分为第一信号和第二信号,所述第一信号的波长小于所述第二信号的波长; S3:将步骤S2中获取的第一信号输入预设的透射法测温模型中得到低温温度值; S4:将步骤S2中获取的第二信号输入预设的辐射法测温模型中得到高温温度值; S5:根据步骤S3中获取的低温温度值和步骤S4中获取的高温温度值计算得到最终温度;S5包括以下步骤: S51A:获取本次工艺过程中的最高温度值和最低温度值; S52A:当所述最高温度值小于第二温度阈值且所述最低温度值小于第一温度阈值时,最终温度等于最低温度值; 当所述最高温度值小于第二温度阈值且所述最低温度值属于[第一温度阈值,第二温度阈值]时,依据所述最低温度值、最高温度值、第一温度阈值和第二温度阈值计算得到最终温度; 当所述最高温度值大于等于第二温度阈值且所述最低温度值大于等于第二温度阈值时,确定最终温度等于最高温度值以及所述第一温度阈值小于第二温度阈值; 依据最低温度值、最高温度值、第一温度阈值和第二温度阈值计算得到最终温度的步骤中,具体包括: S51B:根据所述第一温度阈值和所述第二温度阈值对所述最低温度值进行归一化处理,得到温度参数; S52B:将所述温度参数输入Sigmoid函数计算得到第一权重系数和第二权重系数,所述第一权重系数和第二权重系数之和为1; S53B:根据所述第一权重系数、第二权重系数、最低温度值和最高温度值计算得到最终温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人盛吉盛半导体科技(北京)有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路15号院2号楼7层703室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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