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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511795993.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备是由余开庆;曾祥;相奇;李恬恬设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底；衬底包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的阱区；基于同一光罩同时于衬底内形成沿第一方向间隔交替排列，沿第二方向延伸的具有不同开口尺寸的条状源沟槽、条状栅沟槽；条状源沟槽、条状栅沟槽沿第三方向贯穿阱区；对衬底执行离子注入工艺，于条状栅沟槽底部形成第一屏蔽区的同时，形成沿第二方向间隔排列于条状源沟槽底部的第二屏蔽区；于条状栅沟槽形成栅极结构后，形成至少填满条状源沟槽的源极金属；其中，沿第二方向相邻第二屏蔽区之间的衬底与源极金属形成肖特基结构；不仅具备Ron低、Vf低、反向恢复损耗Erec低，且抗浪涌能力强，且制造成本较低。

本发明授权沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底包括经由所述衬底的第一表面向所述衬底内延伸的阱区； 基于同一光罩同时于所述衬底内形成沿第一方向间隔交替排列，沿第二方向延伸的具有不同开口尺寸的条状源沟槽、条状栅沟槽；所述条状源沟槽、所述条状栅沟槽沿第三方向贯穿所述阱区；所述条状源沟槽的开口尺寸小于所述条状栅沟槽的开口尺寸，所述条状源沟槽的深度小于所述条状栅沟槽的深度； 对所述衬底执行离子注入工艺，于所述条状栅沟槽底部形成第一屏蔽区的同时，形成沿所述第二方向间隔排列于所述条状源沟槽底部的多个第二屏蔽区； 于所述条状栅沟槽形成栅极结构后，形成覆盖所述栅极结构顶面的条状介电层，以及至少填满所述条状源沟槽的源极金属；其中，沿所述第二方向相邻所述第二屏蔽区之间的衬底与嵌入所述衬底的源极金属的侧面和底部形成肖特基结构；所述肖特基结构在芯片上的面积占比通过形成所述第二屏蔽区的光刻版自由调节； 所述深度用于表征沿所述第三方向的尺寸；所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向两两相互垂直。

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