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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MRAM存储阵列及MRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115730551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111008181.9，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权一种MRAM存储阵列及MRAM是由杨保林;苏显鹏;姜原设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MRAM存储阵列及MRAM在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MRAM存储阵列及MRAM，该MRAM存储阵列包括多个存储区，其中，每个存储区包括主存储区、第一冗余存储区及第二冗余存储区。在主存储区中设置有主存储单元。第一冗余存储区呈带状环绕主存储区。第二冗余存储区包括多个带状冗余存储区，每个带状冗余存储区扣合在第一冗余存储区的对应凸起位置处。能够将第一冗余存储区设置的较窄些，将四个第二冗余存储区设置的较宽些，既克服由于CMP工艺造成的存储阵列角落失效问题，提高产品制造良率。同时冗余存储单元也没有不填满相邻两个存储区之间的空间，避免出现较宽的第一冗余存储区对外围电路产生影响，保证不会造成过大的RCDelay影响。且不会增加额外成本，使技术成本较低。

本发明授权一种MRAM存储阵列及MRAM在权利要求书中公布了：1.一种MRAM存储阵列，其特征在于，包括多个间隔排布的存储区，其中，每个存储区包括： 主存储区，其中，所述主存储区中设置有主存储单元； 第一冗余存储区，所述第一冗余存储区呈带状环绕所述主存储区，且所述第一冗余存储区中设置有至少一排冗余存储单元； 第二冗余存储区，所述第二冗余存储区包括多个带状冗余存储区，每个带状冗余存储区扣合在所述第一冗余存储区的对应凸起位置处；且每个带状冗余存储区中均设置有至少一排冗余存储单元； 所述主存储区的形状为矩形； 所述第一冗余存储区的形状为矩形带状； 所述第二冗余存储区包含有四个所述带状冗余存储区，所述四个带状冗余存储区与所述第一冗余存储区的四个角一一对应；每个带状冗余存储区的形状均为L形，以扣合在所述第一冗余存储区的对应角位置处； 所述主存储单元的横截面形状为圆形或正方形，所述第一冗余存储区中的冗余存储单元的横截面形状为圆形或正方形； 所述第二冗余存储区的冗余存储单元的横截面形状均为L形；且每个带状冗余存储区的多个L形冗余存储单元基于所述第一冗余存储区的对应角，由内向外依次扣合排列。

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