爱思开海力士有限公司崔福奎获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110153516.X,技术领域涉及:H10W70/63;该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装是由崔福奎设计研发完成,并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括层叠的半导体芯片的半导体封装在说明书摘要公布了:本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装可包括:基层;第一半导体芯片,其设置在基层上方并与基层间隔开;第二半导体芯片层叠物,其设置在基层与第一半导体芯片之间,该第二半导体芯片层叠物包括在垂直方向上层叠的多个第二半导体芯片;桥管芯层叠物,其设置在基层与第一半导体芯片之间并且被设置为与第二半导体芯片层叠物间隔开,该桥管芯层叠物包括在垂直方向上层叠的多个桥管芯并且将第一半导体芯片和基层电连接以供电;以及垂直互连器,其设置在基层与第一半导体芯片之间并且被设置为与第二半导体芯片层叠物和桥管芯层叠物间隔开,该垂直互连器将第一半导体芯片和基层电连接以传输信号。
本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,该半导体封装包括: 基层; 第一半导体芯片,该第一半导体芯片设置在所述基层上方并且与所述基层间隔开; 第二半导体芯片层叠物,该第二半导体芯片层叠物设置在所述基层与所述第一半导体芯片之间,该第二半导体芯片层叠物包括在垂直方向上层叠的多个第二半导体芯片; 桥管芯层叠物,该桥管芯层叠物设置在所述基层与所述第一半导体芯片之间并且被设置为与所述第二半导体芯片层叠物间隔开,该桥管芯层叠物包括在所述垂直方向上层叠的多个桥管芯并且该桥管芯层叠物将所述第一半导体芯片和所述基层电连接以供电;以及 垂直互连器,该垂直互连器设置在所述基层与所述第一半导体芯片之间并且被设置为与所述第二半导体芯片层叠物和所述桥管芯层叠物间隔开,该垂直互连器将所述第一半导体芯片和所述基层电连接以传输信号, 其中,所述多个桥管芯中的每一个包括绝缘主体和穿透所述绝缘主体的多个导电柱,并且 其中,每个所述导电柱的宽度大于每个所述垂直互连器的宽度,并且所述导电柱比所述垂直互连器更稀疏地布置。
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