浙江驰拓科技有限公司刘波获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利存储位元的制备方法及MRAM的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010700145.8，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权存储位元的制备方法及MRAM的制备方法是由刘波;李辉辉设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储位元的制备方法及MRAM的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供具有第一表面的第一基体，第一表面上设置有第一隧道结材料层和第一掩膜层，第一掩膜层位于第一隧道结材料层远离第一基体的一侧；通过第一掩膜层将第一隧道结材料层刻蚀形成第二隧道结材料层，第二隧道结材料层具有裸露的第一侧壁；在第一表面上形成牺牲层，牺牲层至少部分覆盖于第一侧壁上；通过第一掩膜层刻蚀第二隧道结材料层和牺牲层，以去除牺牲层并将第二隧道结材料层形成磁性隧道结。通过将磁性隧道结的刻蚀过程分为两次进行，避免了磁性隧道结刻蚀过程中侧壁金属沉积带来短路，同时改善了磁性隧道结的磁电性能。
本发明授权存储位元的制备方法及MRAM的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储位元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有第一表面的第一基体，所述第一表面上设置有第一隧道结材料层和第一掩膜层，所述第一掩膜层位于所述第一隧道结材料层远离所述第一基体的一侧； 通过所述第一掩膜层将所述第一隧道结材料层刻蚀形成第二隧道结材料层，所述第二隧道结材料层具有裸露的第一侧壁； 在所述第一表面上形成牺牲层，所述牺牲层至少部分覆盖于所述第一侧壁上； 通过所述第一掩膜层刻蚀所述第二隧道结材料层和所述牺牲层，以去除所述牺牲层并将所述第二隧道结材料层形成磁性隧道结。
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