三星电子株式会社金根楠获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010517877.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法是由金根楠;全辰桓;黄有商设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置，其包括：包括沟槽的衬底。第一导电图案设置在沟槽内。第一导电图案具有比沟槽的宽度小的宽度。第一间隔件沿着第一导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。第二间隔件至少部分地填充与第一间隔件相邻的沟槽。提供了空气间隔件，其包括在第一间隔件和第二间隔件之间的第一部分，以及设置在第二间隔件和第一部分上的第二部分。空气间隔件的第二部分的宽度大于空气间隔件的第一部分的宽度。
本发明授权包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，其包括沟槽； 第一导电图案，其设置在所述沟槽内，所述第一导电图案的宽度小于所述沟槽的宽度； 第一间隔件，其沿着所述第一导电图案的侧表面的至少一部分以及所述沟槽延伸； 第二间隔件，其至少部分地填充与所述第一间隔件相邻的所述沟槽；以及 空气间隔件，其包括位于所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的第一部分，以及设置在所述第二间隔件和所述第一部分上的第二部分， 其中，所述空气间隔件的所述第二部分的宽度大于所述空气间隔件的所述第一部分的宽度， 其中，所述第一间隔件包括位于所述第一导电图案与所述空气间隔件的所述第一部分之间的下间隔件，以及位于所述第一导电图案与所述空气间隔件的所述第二部分之间的上间隔件， 其中，所述第一间隔件的所述上间隔件的宽度小于所述第一间隔件的所述下间隔件的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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