合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体测试结构及晶圆获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007089U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520526482.8，技术领域涉及：H10W46/00；该实用新型一种半导体测试结构及晶圆是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体测试结构及晶圆在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体测试结构及晶圆，半导体测试结构包括：栅极层，设置在衬底表面，栅极层形成一连续图案；阻挡层，设置于栅极层的两侧及其顶部上；金属硅化物层，包括多个金属硅化物段，多个金属硅化物段分别设置于阻挡层上；多个金属插塞，金属插塞的底端朝向金属硅化物段，一个金属硅化物段对应两个金属插塞；金属层，包括多个金属段，沿栅极层的连续路径方向上，相邻两个金属硅化物段的靠近端，在对应的两个金属插塞的顶端上，连接有一个金属段；其中，在栅极层的两端，金属硅化物段上的金属插塞顶端连接有金属段。本实用新型可在自对准多晶硅的制程工艺中，提高对接触电阻的检测效率。
本实用新型一种半导体测试结构及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 栅极层，设置在衬底表面，所述栅极层形成一连续图案； 阻挡层，设置于所述栅极层的两侧及其顶部上； 金属硅化物层，包括多个金属硅化物段，多个所述金属硅化物段分别设置于所述阻挡层上； 多个金属插塞，所述金属插塞的底端朝向所述金属硅化物段，一个所述金属硅化物段对应两个所述金属插塞； 金属层，包括多个金属段，沿所述栅极层的连续路径方向上，相邻两个所述金属硅化物段的靠近端，在对应的两个所述金属插塞的顶端上，连接有一个所述金属段； 其中，在所述栅极层的两端，所述金属硅化物段上的所述金属插塞顶端连接有所述金属段，并将所述栅极层的两端对应的所述金属段，分别记为第一测试端、第二测试端； 所述第一测试端、所述第二测试端，与所述栅极层两端之间的多个所述金属硅化物段、多个所述金属插塞、多个所述金属段形成一测试回路。
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